產(chǎn)品簡(jiǎn)介
Thorlabs DET08CFC/M - 銦鎵砷光電探測(cè)器
四種型號(hào)覆蓋波長(zhǎng)范圍400-1700 nm
帶寬從1到5 GHz
上升時(shí)間從50 ps到1 ns
連接到單模(SM)或多模(MM)光纖
FC/PC光纖輸入接頭
SMA輸出接頭

產(chǎn)品型號(hào)：

更新時(shí)間：2025-10-28

廠商性質(zhì)：代理商

訪問(wèn)量：332

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產(chǎn)品分類

PRODUCT CLASSIFICATION

探測(cè)器

積分球光接收器光電探測(cè)器

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Thorlabs DET08CFC/M - 銦鎵砷光電探測(cè)器

Thorlabs DET08CFC/M - 銦鎵砷光電探測(cè)器特點(diǎn)：

四種型號(hào)覆蓋波長(zhǎng)范圍400-1700 nm

帶寬從1到5 GHz

上升時(shí)間從50 ps到1 ns

連接到單模(SM)或多模(MM)光纖

FC/PC光纖輸入接頭

SMA輸出接頭

Thorlabs DET08CFC/M - 銦鎵砷光電探測(cè)器提供一系列光纖耦合，高速，高帶寬探測(cè)器，可以連接FC/PC單?；蚨嗄９饫w。這些探測(cè)器整體的靈敏范圍從可見到近紅外(400-1700 nm)；請(qǐng)?jiān)诒?.2中查看每個(gè)探測(cè)器的準(zhǔn)確光譜范圍。本頁(yè)所有探測(cè)器都有GHz信號(hào)帶寬，和我們其它DET系列一樣使用簡(jiǎn)單。這些探測(cè)器設(shè)計(jì)用于測(cè)試或測(cè)量應(yīng)用，包括數(shù)據(jù)通信、模擬微波和一般的高速光子學(xué)。對(duì)于自由空間探測(cè)，Thorlabs提供高速自由空間探測(cè)器。我們還提供一系列內(nèi)置偏壓光電二極管，它們與光纖耦合光電探測(cè)器一樣使用簡(jiǎn)單，但是工作速度較慢。我們的偏壓光電探測(cè)器兼容臺(tái)式光電二極管放大器和PMT跨阻放大器。

這些光纖耦合探測(cè)器反向偏置，內(nèi)部有偏壓電池，對(duì)入射光產(chǎn)生線性響應(yīng)。為了保持高信號(hào)帶寬，信號(hào)通過(guò)SMA接頭輸出。Thorlabs提供全系列電子轉(zhuǎn)接件和電纜，包括SMA電纜和SMA轉(zhuǎn)BNC轉(zhuǎn)接件，方便在示波器或其它測(cè)量電子設(shè)備上監(jiān)測(cè)信號(hào)。

我們基于硅的光纖耦合探測(cè)器用于400到1100 nm波長(zhǎng)范圍，帶寬可選1 GHz (#DET02AFC)或2 GHz (#DET025AFC)。對(duì)于擴(kuò)展到近紅外的應(yīng)用，可使用我們基于銦鎵砷(InGaAs)的光纖耦合探測(cè)器，其探測(cè)范圍從800到1700 nm，帶寬可選1.2 GHz (#DET01CFC)或5 GHz (#DET08CFC)。對(duì)于高速信號(hào)監(jiān)測(cè)，Thorlabs推薦使用50 Ω負(fù)載電阻。對(duì)于較低帶寬應(yīng)用，我們的可調(diào)終端連接頭或固定終端連接頭可以快速調(diào)節(jié)測(cè)量電壓。

Thorlabs DET08CFC/M - 銦鎵砷光電探測(cè)器

Item #	DET02AFC	DET025AFC	DET01CFC	DET08CFC
Wavelength Range	400 - 1100 nm	400 - 1100 nm	800 - 1700 nm	800 - 1700 nm
Material	Si	Si	InGaAs	InGaAs
Bandwidth (-3 dB)a,b,c	1 GHz	2 GHz	1.2 GHz	5 GHz (Max)
Fiber Input	FC/PC	FC/PC	FC/PCd	FC/PC
Signal Output	SMA	SMA	SMA	SMA
Minimum Resistor Load	50 Ω	50 Ω	50 Ω	50 Ω
Maximum Peak Power	18 mW	18 mW	18 mW	100 mW
Saturation Power (CW)	-	-	5.5 mW (1550 nm)b	-
Output Voltage	0 to 3.3 V (50 Ω) 0 to 10 V (Hi-Z)	2 V (Max)e	0 to 1 V (50 Ω)f 0 to 10 V (Hi-Z)	2 V (Max)e
Rise Time (tr)a,b,c	1 ns @ 730 nm (Max)	150 ps @ 653 nm, 20/80% (Typ.)	< 1 nsg @ 1310 nm	70 ps @ 952 nm, 20/80% (Typ.)
Fall Time (tf)a,b,c	1 ns @ 730 nm (Max)	150 ps @ 653 nm, 80/20% (Typ.)	< 1 nsg @ 1310 nm	110 ps @ 952 nm, 80/20% (Typ.)
Bias Voltage	12 V
Dark Current	126 pAh	35 pAa,h	0.235 nAa,h	1.5 nAa,h
NEP (Maximum)	9.5 x 10-15 W/√Hz (@ 730 nm)	9.29 x 10-15 W/√Hz (@ 730 nm)	4.5 x 10-15 W/√Hz (@ 1550 nm)	2 x 10-15 W/√Hz (@ 1550 nm)
Junction Capacitance	1.73 pF (Max)	1.73 pF (Max)	2.4 pF (Typical)	0.3 pF
Photodiode Element	FDS02	FDS02	FGA01FC	-

使用規(guī)定的12 V偏壓測(cè)量。
50 Ω負(fù)載
電池電壓降低會(huì)使上升時(shí)間變長(zhǎng)，帶寬減小。
雖然這些探測(cè)器都有FC/PC輸入接頭，但我們的測(cè)試表明，它們也可以使用FC/APC光纖跳線，而且性能上沒(méi)有可測(cè)量到的差異。
輸出電壓越大，帶寬越小。
基于峰值響應(yīng)率和損傷閾值計(jì)算。
我們生產(chǎn)的探測(cè)器經(jīng)測(cè)試可保證上升和下降時(shí)間。使用產(chǎn)品手冊(cè)4.6章或光電二極管教程標(biāo)簽里的公式計(jì)算的理論上升時(shí)間為292 ps。
1 MΩ負(fù)載